Analisis de la ruptura dielectrica del sio2 para la simulacion de fiabilidad
- Autores: Montserrat Nafria i Maqueda
- Directores de la Tesis: Xavier Aymerich Humet (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1993
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (presid.), Francesca Campabadal Segura (secret.), Juan Enrique Carceller Beltrán (voc.), Jorge Francisco Suñe Tarruella (voc.), Josep Samitier Martí (voc.)
- Materias:
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- Resumen
En esta tesis se analizan diferentes aspectos de la ruptura dielectrica del sio2 que deben tenerse en cuenta cuando se desea efectuar una simulacion de fiabilidad. Se muestra como mediante una caracterizacion de post-ruptura del oxido puede obtenerse informacion sobre su fiabilidad y sobre la fisica del mecanismo. Por otra parte, un analisis de las estadisticas de ruptura obtenidas en diferentes condiciones de estres muestra que existen tres modos de ruptura, activos en distintos rangos de campos. La aparicion de estos modos en distintas condiciones de estres debe tenerse en cuenta en la extrapolacion de los datos de fiabilidad a condiciones normales de operacion. Los resultados indican que unicamente deben implementarse en un simulador de fiabilidad dos de los modos observados. Finalmente, se ha efectuado un analisis de los transitorios observados cuando se aplican al oxido tensiones dinamicas de estres y se ha presentado un modelo cualitativo para explicarlos, basado en el atrapamiento/desatrapamiento de carga negativa en el oxido.
