Resumen de Crecimiento y caracterizacion de capas delgadas de sio2. Potencial del procesado termico rapido
Las buenas propiedades del sio2 como material aislante es uno de los pilares sobre los que descansa el desarrollo de la microelectronica. La buena calidad con la que puede crecerse le permite jugar un papel electrico activo junto a otras varias funciones tecnologicas auxiliares. En este sentido, a medida que progresa la miniaturizacion de los dispositivos, capas cada vez mas delgadas son necesarias como oxidos de puerta de transistores mos. Es en el marco de las tecnologias de muy alta y ultra escala de integracion (vlsi, ulsi) donde los procedimientos convencionales de oxidacion dejan de ser adecuados y donde urge el desarrollo de tecnicas alternativas. En este trabajo se evalua el potencial del procesado termico rapido a este respecto, y se llega a la conclusion de que los oxidos delgados obtenidos de esta forma son superiores en calidad a los obtenidos mediante procedimientos llevados a cabo en hornos convencionales, una vez modificados estos convenientemente. Esta mejoria resulta de las especiales prestaciones que permiten los reactores termicos rapidos en los que pueden tener lugar procesos a muy alta temperatura durante tiempos muy breves, dos aspectos imposibles de compatibilizar en un horno convencional. La alta temperatura de oxidacion propia de estos procesos tiene un impacto positivo sobre la calidad material de la capa, que a su vez se traduce en unas mejores caracteristicas electricas, especialmente en cuanto a una mayor resistencia a la degradacion y a la ruptura dielectrica.
