Estudio de la formacion de un oxido de campo enterrado para circuitos v.L.S.I. Mediante un oxido depositado

• Autores: Eduard Figueras Costa
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1988
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Pedro Cartujo Estebanez (presid.), Joan Bausells Roigé (secret.), Joan Ramon Morante Lleonart (voc.), Xavier Aymerich Humet (voc.), Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • En el trabajo desarrollado en esta tesis trata en general sobre las tecnicas de aislamiento de componentes en circuitos integrados y su repercusion sobre las caracteristicas electricas de dichos componentes. En particular presenta los resultados obtenidos en el desarrollo de una nueva tecnica de aislamiento, especialmente ideada para la fabricacion de circuitos integrados submigronicos y que utiliza un oxido depositado como oxido de campo (denominado box). El interes de esta tecnica radica en el hecho de que el oxido de campo se crea a partir de una capa de oxido depositado y por tanto se elimina la larga etapa de oxidacion termica. Ademas, al no existir esta oxidacion termica se elimina el origen de varios de los problemas que se encuentran al reducir las dimensiones de los circuitos tales como la oxidacion lateral y la generacion de defectos. Todos estos problemas son tratados en este trabajo.