Estudio del fenomeno de la conmutacion en dispositivos metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss)

• Autores: José Millán Gómez
• Directores de la Tesis: Francisco Serra Mestres (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1981
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Serra Mestres (presid.), Elías Muñoz Merino (secret.), Juan Santiago Muñoz Domínguez (voc.), Juan Buxo Santaolaria (voc.), Pedro Cartujo Estebanez (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • En este trabajo se formula un modelo fisico basado en la conduccion por tunel resonante del dispositivo metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss) que explica los resultados experimentales. Obtenemos expresiones analiticas de su caracteristica tension-corriente de la corriente y de la tension en el punto de conmutacion asi como de la impedancia del dispositivo en estado estacionario.