Estudio de las propiedades del efecto túnel en semiconductores a través de dispositivos del estado sólido como son las dobles barreras bajo campos magnéticos externos. También se estudia el efecto túnel coherente entre pozos cuánticos acoplados mediante soluciones analíticas. Se establecen correcciones relativistas al efecto túnel resonante y no resonante mediante la ecuación de dirac. Algunas propiedades ópticas de las superredes se establecen mediante el análisis del Hamiltoniano de Luttinger.
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