EL TRABAJO REALIZADO CONSTA DE TRES PARTES: 1.- SE HAN INVESTIGADO LOS CAMBIOS INTRODUCIDOS POR LA TENSION BIAXIAL EN LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DE POZOS CUANTICOS TENSIONADOS DE GAASP/GAAIAS CRECIDOS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS. LOS ESTUDIOS SE HAN REALIZADO MEDIANTE LA TECNICA DE EXCITACION DE EXCITACION DE LUMINISCENCIA EN PRESENCIA DE UN CAMPO MAGNETICO EXTERNO.
SE HA DEMOSTRADO EXPERIMENTALMENTE POR PRIMERA VEZ QUE LA DISPERSION DE LAS BANDAS DE VALENCIA DEPENDE FUERTEMENTE DE LA SEPARACION DE ENERGIA ENTRE LOS BORDES DE LAS BANDAS DE HUECOS PESADOS Y LIGEROS.
2.- SE HA MONTADO UN SISTEMA EXPERIMENTAL QUE PERMITE REALIZAR MEDIDAS DE FOTOLUMINISCENCIA RESUELYA EN TIEMPO CON UNA RESOLUCION DE 5 PICOSEGUNDOS.
3.- SE HAN INVESTIGADO LOS PROCESOS DE FORMACION, RECOMBINACION Y RELAJACION DE "SPIN" DE EXCITONES EN POZOS CUANTICOS SEMICONDUCTORES. SE HA OBTENIDO INFORMACION ESENCIAL PARA CLARIFICAR LA IMPORTANCIA DE LOS DISTINTOS MECANISMOS RESPONSABLES DE LA PERDIDA DE LA ORIENTACION DEL "SPIN" EN SISTEMAS SEMICONDUCTORES DE BAJA DIMENSIONALIDAD.
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