Resumen de Growth and optimization of thin films based on iridium oxide for spintronics
La búsqueda de materiales con un fuerte acoplamiento espín–órbita (SOC) representa una vía muy prometedora a la hora de desarrollar nuevos dispositivos espintrónicos. Dentro de este grupo, el interés en el óxido de iridio (IrO2) ha aumentado notablemente en los últimos años. Esto se debe, entre otros factores, a su estado fundamental, delicadamente equilibrado como consecuencia de diferentes interacciones que compiten en la misma escala energética: SOC, campo cristalino, o repulsiones de Coulomb; lo que ha llevado a recientes estudios teóricos a concluir que el carácter metálico y no magnético del IrO2 puede ser modificado mediante cambios estructurales. De esta manera, motivados por su enorme potencial en espintrónica y por las predicciones que sugieren unas propiedades de transporte eléctrico y magnéticas modificables, esta tesis se centra en el estudio del IrO2. En particular, la investigación llevada a cabo tiene como objetivo principal encontrar evidencia experimental de las transiciones metal–aislante y no magnético–magnético predichas en sistemas basados en IrO2. Para ello, se estudiaron 3 vías alternativas: (1) crecimiento de láminas delgadas de IrO2 con relevantes diferencias estructurales en cuanto a espesor, cristalinidad y parámetros de red se refiere; (2) aplicar presión química mediante dopaje sustitucional; (3) y combinarlo con elementos 3d magnéticos.
