Caracterización de dieléctricos de alta permitividad crecidos mediante ald, hprs y ecr-cvd
- Autores: Héctor García García
- Directores de la Tesis: Salvador Dueñas Carazo (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Valladolid ( España ) en 2006
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Luis A. Bailón Vega (presid.), Juan Ignacio Jiménez López (secret.), Germán González Díaz (voc.), Tomás González Sánchez (voc.), Juan Piqueras (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Desde hace más de 30 años existe la tendencia a la miniaturización de los dispositivos electrónicos, lo que se conoce como Ley de Moore. Sin embargo, se están alcanzando tamaños de dispositivos tan pequeños, que parece existir un límite físico que impide el cumplimiento de esta ley a no muy largo plazo. Un problema, se debe a que el espesor del aislante utilizado para aislar la puerta de transistores MOSFET es tan delgado que se producen demasiadas pérdidas debido al efecto túnel. Una solución consiste en la sustitución del aislante utilizado, SiO2, por otro de mayor constante dieléctrica.
El objetivo de esta Tesis fue el estudio de diversos materiales aislantes para su utilización como nuevos aislantes de puerta. Estos materiales han sido nitruros de silicio, óxidos de aluminio, óxidos de hafnio, óxidos de titanio, silicatos de hafnio y otras mezclas y compuestos nanolaminados.
Para crecer estos materiales, se han utilizado diversas técnicas de crecimiento: ALD, HPRS y ECR-CVD. Las propiedades se estudiaron a partir de técnicas de caracterización eléctricas y no eléctricas.
