Ballistic magnetoresistance in nanoconstrictions

• Autores: Hao Cheng
• Directores de la Tesis: Julio Gómez Herrero (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2005
• Idioma: inglés
• Tribunal Calificador de la Tesis: Sebastián Vieira Díaz (presid.), Carlos Sánchez López (secret.), Francisco Guinea (voc.), Manuel Vázquez Villalabeitia (voc.), Petrovich Arkadi Levanyuk (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electromagnetismo
      • Magnetismo
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• Resumen

  • La spintrónica es un área de investigación de reciente aparición que se ocupa del desarrollo de una clase nueva de dispositivos, los dispositivos spintrónicos. Los dispositivos spintrónicos se basan en efectos magnetorresistivos(MR), variaciones de la resistencia eléctrica en presencia de campos magnéticos variables, que queden ser descritos en terminos de modelos de transporte electrónico dependiente del spin. La magnetorresistencia que se denomina balística(MRB) fue observada en nanocontactos de materiales ferromagnéticos a temperatura ambiente y en presencia de camposa magneticos relativamente pequeños por el Professor Nicolás García en 1999. El descubrimiento de la magnetorresistencia balística (MRB) ofrece buenas posibilidades para aplicación en los dispositivos de nueva generación. La elevada sensibilidad del efecto MRB, muy superior a la observada para el efecto de magnetorresistencia gigante(MRG), es muy adecuada para la fabricación de cabezas lectoras para sistemas de ultra - alta densidad de almacenamiento de información.

    Esta tesis presenta el estudio experimental sistemático de las propiedades de magnetotransporte en nanocontactos de diferentes materiales y configuraciones.

    Estos experimentos nos muestran que los cambios de resistencia de los nanocontactos cambian con los campos magnéticos aplicados son efectos de magnetorresistencia balística(MRB). Para aplicar los dispositivos basados en el efecto MRB, se han fabricadpo nanoconstricciones de Permalloy de 30nm de anchura sobre superficies de silicio mediante litografía electrónica.

    En el capitulo 1, se describen brevemente los distintos tipos de sistemas magnetoresistivos que se han encontrado hasta ahora; los conceptos de nanotecnología y el arquetipo de dispositivos basados en la electrónica de spin han sido descritos también.

    El efecto de la magnetorresistencia balística (MRB) en nanocontactos fabricados con ruptura controlada de union