Oxidación plasma de TaSix Y Si1-xGex

• Autores: Ruperto Javier Gómez San Román
• Directores de la Tesis: José Manuel Martínez Duart (dir. tes.), Rafael Pérez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1992
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José María Albella Martín (presid.), Carlos Palacio Orcajo (secret.), Germán González Díaz (voc.), Carmen Nieves Nieves Afonso (voc.), Fernando Agulló López (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
      • Dispositivos de estado sólido
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• Resumen

  • Se ha estudiado la oxidacion en plasma re de oxigeno a potencial flotante de peliculas delgadas de tasix (x comprendido entre 0.3 y 4.5) y de aleaciones de sige, en el rango de 400-800 c. Se han analizado las cineticas de oxidacion, naturaleza del oxido y fenomenos de transporte atomico, asi como las caracteristicas electricas de los oxidos crecidos, mediante curvas i-v, c-v y dispersion de la capacidad en funcion de la frecuencia. Las cineticas de oxidacion son principalmente de tipo parabolico, indicando la difusion del oxigeno a traves del oxido, mediante un mecanismo de transporte atomico de corto alcance. La oxidacion de peliculas de tasix conduce a la formacion de sio2 o de un oxido mixto de sio2-ta2o5 dependiendo de la composicion de la pelicula, de la temperatura y la naturaleza del sustrato. La oxidacion de aleaciones de sige conduce a la formacion de sio2 en superficie con ritmos de oxidacion notablemente mayores que para el si puro, poniendo de manifiesto el efecto catalizador del ge.