Se ha diseñado un reactor para la deposicion del oxido de silicio dopado con boro y fosforo en substratos (*) de 150 mm de diametro y para ser utilizado en tecnologias submicronicas. Los reactivos utilizados han sido tmb, teos, ph3 y o2; la reaccion se activo termicamente y fue realizada a baja presion (lpcvd). Las propiedades de este material (bpteos) son sensiblemente superiores al material que se obtiene de la reaccion quimica sih4, ph3, b2h6 y o2; bpsg; y que se utiliza tradicionalmente en tecnologias superiores a la micra. Por ello este material (bpteos) es factiale de ser utilizado en tecnologias suamicronicas.
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