Dinámica de portadores en pozos cuánticos semiconductores

• Autores: Esther Pérez Núñez
• Directores de la Tesis: Luis Viña (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1998
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Carlos Tejedor (presid.), Fernando Calle Gómez (secret.), Marek Potemski (voc.), José García Sole (voc.), Ceferino López Fernández (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Propiedades ópticas
      • Semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Mediante espectroscopía óptica resuelta en tiempo, se ha estudiado la dinámica de portadores en pozos cuánticos semiconductores. En concreto, se han investigado los tiempos de enfriamiento y recombinación de los excitones en pozos de GaasP sometidos a tensión de estiramiento, así como la mezcla en la banda de Valencia. Además, se ha analizado la ruptura de la degeneración de spin de los excitones en pozos intrínsecos de gaas. En pozos dopados-P, se han estudiado los tiempos de enfriamiento y recombinación de los portadores libres, así como la relajación de spin de los electrones. Además, se ha encontrado que la diferencia en la población de electrones +1/2 y -1/2 se refleja en un desdoblamiento energético de los máximos de sus respectivos espectros de luminiscencia. Por último, se ha observado la coexistencia de huecos libres y localizados en pozos cuánticos dopados-N.