Resumen de Crecimiento y caracterización de cristales de CdTe nominalmente puros y dopados que presentan alta resistividad
Victoria Corregidor Berdasco
El telururo de cadmio (CdTe) es uno de los semiconductores de la familia de semiconductores II-V. Por sus características intrínsecas, tales como alto número atómico, alta densidad y relativo alto valor de la energía de banda prohibida hacen que sea el componente ideal para numerosas aplicaciones, tales como células solares, detectores de radiación X y gamma capaces de trabajar a temperatura ambiente. Para estas aplicaciones se requieren cristales monocristalinos del orden de varios cm3, con una composición homogénea y baja densidad de dislocaciones y defectos, una alta resistividad, del orden de 10 9 omega cm o mayores etc. Esta última condición se hace imprescindible por ejemplo, en el caso de aplicaciones de detectores de radiación, con objeto de disminuir al máximo la señal de ruido.
Esta Tesis se ha orientado hacia la obtención de monocristales de CdTe en volumen nominalmente puros y dopados, con buena calidad cristalina, con bajo número de defectos, y altos valores de resistividad.
La obtención de monocristales de CdTe se ha abordado desde distintos métodos de crecimiento. Se han obtenido y comparado cristales de CdTe mediante la técnica Bridgman -a partir de fundido-, y mediante la técnica Markov -a partir de fase vapor-. Combinando las características de cada método de crecimiento, como son las velocidades de crecimiento de la técnica Bridgman y la ausencia de contacto entre el cristal solidificado y la pared de la ampolla, de la técnica Bridgman y la ausencia de contacto entre el cristal solidificado y la pared de la ampolla, de la técnica Markov, se han crecido cristales de CdTe por el método Bridgman en condiciones de ausencia de contacto del cristal solidificado con la pared de la ampolla. Este tipo de crecimiento se ha llevado a cabo gracias a condiciones de microgravedad.
Se ha observado que aquellas técnicas de crecimiento en las que no hay contacto del cristal solidificado con la pared de la am
