Resumen de Integración de óxidos electro-ópticos mediante ablación con láser
Mediante la técnica de ablación con láser se han crecido láminas delgadas de sillenitas, Bi12M020 (M=Ga, Ti, ZnP, CdP, NiP) sobre sustratos de (001)YSZ (110)BSO y (100)BGO. Durante el desarrollo del estudio se han establecido los parámetros óptimos de crecimiento para producir láminas con una alta calidad cristalina y alto grado de epitaxia. Se han establecido las relaciones de epitaxia entre el plano (001) del YSZ y el (310) de la sillenita. Las láminas obtenidas se comportan como guías de onda y además son fotoconductoras. También se han crecido por la misma técnica, láminas de niobato de litio dopadas con neodimio. Se han establecido las condiciones óptimas de depósito, se ha determinado el límite superior de incorporación del Nd a la lámina y se ha caracterizado la fotoluminiscencia infrarroja del Nd en la lámina. La fotoluminiscencia obtenida es similar a la observada en los monocristales, si bien, en la lámina se observa un ensanchamiento inhomogeneo en la emisión.
