Tratamientos térmicos con haz de electrones aplicaciones a la tecnología microelectrónica del silicio

• Autores: Manuel Cervera Goy
• Directores de la Tesis: Javier Martínez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1994
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Piqueras (presid.), Aurelio Climent Font (secret.), Emilio Lora Tamayo (voc.), Vicente López Martínez (voc.), Carmen Nieves Nieves Afonso (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • PUESTA A PUNTO DE UN SISTEMA DE TRATAMIENTOS TERMICOS DE SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES, EN VACIO, CON HAZ DE ELECTRONES Y PORTASUBSTRATOS CALDEABLE. MODELIZACION DEL PROCESO TERMICO MEDIANTE APROXIMACION NUMERICA BIDIMENSIONAL BASADA EN EL METODO DE ELEMENTOS FINITOS.

    APLICACION DE LA TECNICA A LA RECUPERACION DEL DAÑO PRODUCIDO DURANTE EL PROCESO DE IMPLANTACION IONICA EN SUBSTRATOS DE SILICIO Y ACTIVACION DE LAS IMPUREZAS IMPLANTADAS. FABRICACION Y CARACTERIZACION DE DIODOS P+-N Y N+-P. CARACTERIZACION DE LAS CAPAS IMPLANTADAS.

    APLICACION DE LA TECNICA A LA FORMACION DE SILICIUROS DE TITANIO A PARTIR DE PELICULAS METALICAS DEPOSITADAS SOBRE EL SEMICONDUCTOR. CARACTERIZACION DE LAS CAPAS FORMADAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE DIFRACCION DE RAYOS X Y RBS.