PUESTA A PUNTO DE UN SISTEMA DE TRATAMIENTOS TERMICOS DE SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES, EN VACIO, CON HAZ DE ELECTRONES Y PORTASUBSTRATOS CALDEABLE. MODELIZACION DEL PROCESO TERMICO MEDIANTE APROXIMACION NUMERICA BIDIMENSIONAL BASADA EN EL METODO DE ELEMENTOS FINITOS.
APLICACION DE LA TECNICA A LA RECUPERACION DEL DAÑO PRODUCIDO DURANTE EL PROCESO DE IMPLANTACION IONICA EN SUBSTRATOS DE SILICIO Y ACTIVACION DE LAS IMPUREZAS IMPLANTADAS. FABRICACION Y CARACTERIZACION DE DIODOS P+-N Y N+-P. CARACTERIZACION DE LAS CAPAS IMPLANTADAS.
APLICACION DE LA TECNICA A LA FORMACION DE SILICIUROS DE TITANIO A PARTIR DE PELICULAS METALICAS DEPOSITADAS SOBRE EL SEMICONDUCTOR. CARACTERIZACION DE LAS CAPAS FORMADAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE DIFRACCION DE RAYOS X Y RBS.
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