Propiedades electrónicas del silicio policristalino, aplicación a dispositivos M.I.S.S. de conmutación

• Autores: Francisco Javier Martínez Rodríguez
• Directores de la Tesis: Juan Piqueras Haba (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1983
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Elías Muñoz Merino (presid.), Juan Piqueras (secret.), Francisco Serra Mestres (voc.), José Manuel Martínez Duart (voc.), Francisco Jaque Rechea (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
      • Dispositivos de estado sólido
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Se ha estudiado los fenomenos de transporte en silicio policristalino comparando las propiedades electronicas con el valor que se obtiene en el monocristal. A partir de medidas experimentales se han desarrollado diferentes metodos para poder determinar propiedades intrinsecas de las fronteras de grano. Se han fabricado dispositivos de conmutacion miss utilizando como capa i silicio mediante cañon de electrones. Se ha estudiado como depende la tension de conmutacion del dispositivo en funcion del espesor de la capa de silicio policristalino evaporada. Se ha realizado un modelo fisico que explica el fenomeno de la conmutacion en estos dispositivos.