Preparación y caracterización del esquema de metalización al silicio TiSi2/TiN

• Autores: José Pérez Rigueiro
• Directores de la Tesis: José Manuel Martínez Duart (dir. tes.), Carmen Jiménez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1995
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José María Sanz (presid.), Fernando Flores Sintas (secret.), José María Albella Martín (voc.), Germán González Díaz (voc.), Carmen Nieves Nieves Afonso (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Interfases
      • Conductores metálicos
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• Resumen

  • El objetivo del trabajo ha sido la obtencion del esquema de metalizacion si/tisi2/tin mediante tratamientos termicos rapidos.Con este objetivo se ha estudiado el proceso basico de formacion del siliciuro a partir del sistema ti/si. Las contribuciones mas originales a esta parte han sido las medidas electricas a baja temperatura y el uso de la microscopia electronica de transmision de alta resolucion para estudiar la pelicula de siliciuro y la intercara silicio/siliciuro.

    Para la obtencion del esquema si/tisi2/tin se han propuesto tres procesos: Nitruracion del siliciuro de titanio y sistema si/tinx/ti, comprobandose que con todos ellos se alcanza la estructura final buscada.