Resumen de Estudio del transporte electrónico en metales utilizandoel microscopio de emisión de electrones balísticos
Esta tesis está enmarcada en el estudio teórico de las propiedades de transporte de nanoestructuras metálicas. El sistema experimental que ha servido de base en todo este trabajo es el Microscopio de Emisión de Electrones Balísticos (Ballistic Electron Emission Microscope, BEEM). En él, electrones inyectados desde una pauta STM (Scannig Tunneling Microscope) se propagan por una lámina metálica crecida sobre un semiconductor. Además de conseguir información nanométrica de la intercara (medidas locales de barreras Schottky) se ha demostrado que la corriente en el semiconductor es extremadamente sensible a los procesos de interacción que hayan sufrido los electrones en su propagación por el metal. Es esta propagación electrónica la que se estudia en profundidad en este trabajo.
Nuestro modelo teórico trata el problema del transporte electrónico en el metal incluyendo en la propagación los efectos de la estructura de bandas, la interacción electrón-fonón y la interacción electrón-electrón utiizando un formalismo Keldysh de funciones de Green.
Como resultado de este estudio se ha realizado una interpretación de distintos datos experimentales basados en los espectros de las corrientes BEEM en las estructurs Au/Si, Pd/Si yPb/Si determinándose los valores de las vidas medias de los electrones en estos metales como función de sus energías.
El buen acuerdo entre estos valores y los calculados desde primeros principios para estos metales hace que consideremos que la técnica BEEM es muy adecuada para medir esta magnitud ya que nuestro modelo teórico es capaz de extraer con precisión estos valores analizando los espectros de corriente. Probablemente en estos momentos, este método es el que permite calcular con la mayor fiabilidad esas vidas medias y este cálculo representa una de las contribuciones más importantes de esta tesis.
