Estudio de la estructuraa atómica de la superficie de carburo de silicio cúbico mediante difracción de fotoelectrones

• Autores: Antonio Tejeda Gala
• Directores de la Tesis: Enrique García Michel (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2003
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Flores Sintas (presid.), Juan José de Miguel Llorente (secret.), Francisco Javier García de Abajo (voc.), Patrick Soukiassian (voc.), José Ángel Martín Gago (voc.)
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• Resumen

  • El interés del estudio del carburo de silicio se debe tanto a su importancia tecnológica como a la gran variedad de reconstrucciones superficiales que forma, muy diferentes de las de otros semiconductores del grupo IV. En esta memoria se ha determinado la estructura atómica de las reconstrucciones c(4x2) y (3x2) de SiC(001) cúbico. El estudio estructural se ha realizado mediante difracción de fotoelectrones. El proceso físico de la dispersión de los electrones en la red cristalina se ha descrito mediante un cálculo exacto de dispersión múltiple de aproximación de onda esférica, lo que ha permitido realizar comparaciones cuantitativas en los diferentes regímenes de energías cinéticas electrónicas estudiados. La comparación entre teoría y expeirmetno ha permitido determinar los atómicos detallados para ambas reconstrucciones. La reconstrucción (3x2) se describe mediante una modificación delm odelo TAADM (Two Adlayer Asymmetric Dimer Model), y la reconstrucción c(4x2) mediante el modelo AUDD (Alternately Up and Down Dimers). Se ha propuesto mecanismos de formación de ambas reconstrucciones basados en la tensión de las últimas capas de Si. También se ha estudiado la influencia de los defectos superficiales en el resultado de la difracción de fotoelectrones.

    Por otro lado, se ha empleado el nivel interno del Si 2p para determinar el número de diferentes entornos químicos de los átomos de Si. En el caso de la reconstrucción c(4x2) esto ha permitido incluso asignar las diferentes componentes a tipos de átomos presentes en la superficie. Este análisis sobre nuevas perspectivas para la comprensión de otras reconstrucciones de SiC(001), en particular para el régimen de formación de nanohilos autoorganizados.