Resumen de Control de las discontinuidades de banda en heterouniones de semiconductores
El objetivo del presente trabajo es el estudio teorico de la modificacion y control de las discontinuidades de banda mediante la deposicion de intracapas en una heterounion. La utilizacion de un metodo lcao de primeros principios nos permite determinar la geometria mas estable para la intercara y el correspondiente alineamiento de las bandas. Nuestro resultados muestran que en las heterouniones no polares, el mecanismo responsable de los cambios son las modificaciones en la posicion de los niveles de neutralidad de carga. En el caso de caras polares, el cambio esta relacionado con la acumulacion de carga en la intercara, y el doblado de las bandas necesario para conseguir neutralidad. El sentido de la modificacion depende de la electronegatividad de los atomos de la intracapa.
