Resumen de Crecimiento de estructuras en sistemas de baja dimensionalidad metal-semiconductor
Mediante microscopía de efecto túnel (STM) y estudios cuantitativos de difracción de electrones de baja energía (LEED IV) se ha estudiado el crecimiento de estructuras superficiales en los sistemas metal-semiconductor Si/Cu(110) e Y/Si(111). Durante la formación de ambas intercaras se desarrollan distintas fases desde el depósito de unos pocos átomos hasta varias capas de material.
Al depositar Si sobre la superficie del Cu(110) se forman dominios de aleación bidimensional con simetría c(2*2) que crecen hasta formar una capa continua.
Para recubrimientos mayores aparecen sobre la capa de aleación cadenas atómicas de Si con simetría 2*2. Se ha determinado la estructura atómica tanto de la capa de aleación bidimensional c(2*2) como la de las cadenas atómicas de Si crecidas sobre la aleación. Observando la morfología de la superficie en distintas etapas se han determinado propiedades de su modo de crecimiento. Por otra parte, se ha estudiado la adsorción y nucleación de los átomos de Y sobre la superficie del Si(111) depositados a temperatura ambiente y las estructuras que se desarrollan al calentar en función tanto de la temperatura de calentamiento como del recubrimiento depositado.
Relacionando las imágenes de STM con resolución atómica, con la estructura electrónica de la banda de valencia medida mediante espectroscopía de fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS), se presenta un modelo para la terminación atómica de la superficie del siliciuro de itrio tridimensional YSi1.7/Si(111).
