Optical study of semiconductor nanostructures from material properties to quantum optics

• Autores: Eva María Gallardo Velasco
• Directores de la Tesis: José Manuel Calleja Pardo (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2010
• Idioma: inglés
• Tribunal Calificador de la Tesis: Luis Viña (presid.), Carlos Tejedor (secret.), Andrés Cantarero (voc.), Enrique Calleja Pardo (voc.), Richard Notzel (voc.), Luisa González Sotos (voc.), Miguel Ángel Sánchez García (voc.)
• Materias:
  • Física
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • En esta Tesis se investigan las propiedades ópticas de dos sistemas basados en nanoestructuras semiconductoras: anillos cuánticos de InAs/GaAs embebidos en microcavidades de cristal fotónico y nanocolumnas de InN. Para ello se han usado diferentes técnicas experimentales como fotoluminiscencia (PL), excitación de la fotoluminiscencia (PLE), correlación de fotones y espectroscopía Raman. En relación a los anillos cuánticos de InAs, los objetivos de este trabajo son el estudio de la emisión de anillos individuales, sus propiedades como emisores de fotones individuales y la interacción luz-materia en los sistemas anillo-cavidad. En lo que respecta a las NCs de InN, la investigación se ha centrado en la capa de acumulación de electrones en las superficies no polares de las mismas.