Oxidación en plasma del Si y de los siliciuros de Ti y W

• Autores: Rafael Pérez Casero
• Directores de la Tesis: José Manuel Martínez Duart (dir. tes.), A. Climent (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1989
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Serra Mestre (presid.), José Antonio Martín Pereda (secret.), Antonio Hernández Cachero (voc.), José Luis Sacedón Adelantado (voc.), Francisco Jaque Rechea (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
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• Resumen

  • Se ha estudiado la oxidacion de si y tisi2 y wsi2 en plasma rf a potencial flotante, haciendo especial enfasis en los mecanismos de crecimiento. En la oxidacion plasma de si existen dos regimenes en funcion de la temperatura. La transicion entre ambos se encuentra en torno a los 600 grados c. Las cineticas de crecimiento se ajustan a una ley parabolica pura en el rango 400 grados c. - 900 grados c. El oxigeno inyectado desde el plasma se mueve de sitio en sitio de la red para venir a reaccionar con el si en la intercara si/sio2. La oxidacion de los siliciuros de ti y w se caracteriza tambien por la existencia de dos regimenes en funcion de la temperatura asociados a la formacion de oxidos de naturaleza diferente. Las cineticas son de tipo parabolico (400 grados c < t <900 grados c) y el transporte del oxigeno se realiza por una migracion a corta distancia. En el caso de tisi2 la temperatura de transiciones 600 grados c. Para t < 600 grados c. Se forma una mezcla de oxidos tisi2 + x.Sio2 (x=2) de acuerdo con las prediciones termodinamicas. Para t 600 grados c dicha mezcla se encuentra muy enriquecida en sio2 (x=10) debido al aporte adicional de si desde el sustrato. En el caso de wsi2 la temperatura de transicion se encuentra en torno a 550 grados c. Desde un punto de vista termodinamico, la formacion de sio2 se ve favorecida con respecto a la formacion de oxidos metalicos. Los resultados son consistentes con un modelo en el que el silicio del oxido proviene de la capa de siliciuro en ambos regimenes y si las condiciones son favorables existe un aporte adicional de si desde el sustrato. El crecimiento de sio2 sobre los siliciuros puede plantear problemas, por ejemplo, si existe una buena barrera de difusion entre el sustrato y el siliciuro. En tal caso se ha propuesto la formacion de una capa de sio2 partiendo de siliciuros no estequiometricos (tisix, wsiy, x.Y 2). Dicho proceso es factible en un rango limitad