En el trabajo presentado en esta tesis se ha comprobado la validez de una aproximacion (que consiste en utilizar redes de bethe aleatorias y hamiltonianos tight-binding) para el calculo de la estructura electronica de compuestos desordenados, y con ella se han estudiado los casos del silicio y sus compuestos desordenados con nitrogeno, carbono y germanio. Asimismo, se ha extendido el concepto de nivel de neutralidad de carga al caso de las superficies de semiconductores amorfos.
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