Estudio de procesos de cristalización en láminas de silicio amorfo y microcristalino

• Autores: Susana Holgado González-Guerrero
• Directores de la Tesis: Francisco Javier Martínez Rodríguez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1997
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Antonio Luque (presid.), Carlos Santacruz Fernández (secret.), Eduardo Elizalde Pérez-Grueso (voc.), Albert Cornet i Calveras (voc.), Juan Piqueras (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
      • Superficies
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • En la primera parte de esta Tesis se resume todo el equipo experimental utilizado. La segunda parte consiste en el estudio de la cinética de recristalización de capas implantadas tras someterlas a diversos tratamientos térmicos.

    Este trabajo se complementa en la tercera parte, donde a las muestras previamente amorfizadas por implantación iónica se las somete a un plasma de hidrógeno (bien de resonancia ciclotrón de electrones como de radiofrecuencias) con el fin de estudiar de qué modo afecta la introducción de dicho hidrógeno en la velocidad de recistalización de las capas implantadas, y tras someterlas a los tratamientos térmicos. La cuarta parte de este trabajo consiste en el depósito de capas de silicio amorfo mediante plasma de resonancia ciclotrón de electrones, primeramente sin introducir hidrógeno en el plasma, y luego introduciéndolo, para estudiar la evolución del frente amorfo/cristalino tras los tratamientos térmicos que se efectúan. Por último se exponen las conclusiones a las que ha dado lugar todo el trabajo.