Desarrollo de sustratos de carburo de silicio mediante carburización e implantación iónica de silicio monocristalino
- Autores: Francisco Miguel Morales Sanchez
- Directores de la Tesis: Daniel Araújo Gay (dir. tes.), Sergio I. Molina (codir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Cádiz ( España ) en 2003
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Requenas Piqueras (presid.), David González Robledo (secret.), Rafael García Roja (voc.), Mask Hepkinson (voc.), Etiene Bustanet (voc.)
- Materias:
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- Tesis en acceso abierto en: RODIN
- Resumen
Dentro del trabajo de esta Tesis Doctoral, se estudian los mecanismos de formación de láminas delgadas y de precipitados cristalinos de carburo de silicio (SiC). La caracterización de estas estructuras permite la recopilación de datos y por consiguiente, un mejor entendimiento de los mecanismos y reacciones químicas implicadas en esta reacciones. De modo general, las dos grandes hipótesis planteadas antes del inicio de este trabajo de investigación fueron:
1,- La implantación iónica de C y otros átomos a altas temperaturas permite una contracción en la red del Si del sustrato bombardeado y la generación de especies cristalinas de gran interés.
2,- La dinámica de carburización en superficie de sustratos de Si implantado y de Si monocristalino es distinta a la que ocurre en procesos de crecimiento de SiC sobre Si y facilitan la obtenciónde SiC monocristalino soportado sobre Si.
El objetivo principal de esta línea de investigación es el de la fabricación y caracterización de carburo de silicio y otros compuestos obtenidos a partir de obleas de silicio, a la vez que se demuestra que son viables en su posterior uso como plantillas ajustadas "compliant", capas semilla "seed" o capas amortiguadoras "buffer", en el recrecimiento mediante técnicas de crecimiento epitaxial de SiC y aleacciones de nitruros III-N que puedan alcanzar la calidad cristalina suficiente como para ser utilizados en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y microelectrónicos.
- Para abordar las hipótesis planteadas, se han estudiado muestras que quedan englobadas en tres grupos:
1,- Síntesis del Carburo de Silicio y otras especies mediante Implantación Iónica de Silicio.
2,- Síntesis del Carburno de Silicio mediante Carburización de Silicio.
3,- Crecimiento Epitaxial de Carburo de Silicio y de Nitruros III-N sobre Silicio carburizado.
La fabricación de todas estas estructuras se realiza mediante técnicas de crecimien
