Crecimiento czochralski y caracterización por topografía de radiación sincrotron de cristales del óxido doble de bismuto y silicio: bi12si020

• Autores: J. Martínez López
• Directores de la Tesis: Manuel Antonio Caballero López-Lendínez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Cádiz ( España ) en 1999
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Manuel Rodríguez Gallego (presid.), Marina Gonzalez Mañas (secret.), Francisco de Borja López Aguayo (voc.), Ernesto Diéguez (voc.), Rafael Jiménez Garay (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Crecimiento de cristales
      • Cristalografía
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• Resumen

  • Una de las ramas fundamentales de la investigación en Ciencias de Materiales es la preparación de las muestras. La caracterización estructural y el estudio de las propiedades físicas de los materiales, buscando los candidatos idóneos para las aplicaciones tecnológicas deseadas, implica, necesariamente, un paso previo: la fabricación del material. Dentro del amplio espectro de materiales, los monocristales tienen una posición tecnológica muy importante.

    Así, el crecimiento de monocristales de óxidos, y concretamente el de los de tipo Sillenita entre los que se encuentra el óxido doble de bismuto y silício (Bi12SiO20), fue impulsado fundamentalmente por el descubrimiento de sus aplicaciones en diferentes dispositivos electromecánicos y electroópticos (Ballman, 1967; Ballman et al., 1973: Brice y Pratt, 1975; Brice et al., 1977). En la mayoría de los casos, la utilización de estas propiedades tan específicas sólo puede lograrse en materiales con un alto grado de perfección estructural y química, de ahí la importancia que se le otorga a la caracterización de dichos materiales. Además, esta caracterización debe contribuir con posterioridad a mejorar el proceso de obtención de los cristales.

    A lo largo de esta memoria se han expuesto y discutido los resultados experimentales del crecimiento por el método de Czochralski y de la caracterización por topografia de radiación sincrotrón de cristales del óxido doble de bismuto y silício (Bi12SiO20). Se han puesto a punto dos equipos de crecimiento de cristales por el método Czochralski con control del diámetro para materiales tipo sillenita. Se ha llevado a cabo un estudio de los diferentes valores que se pueden obtener del gradiente taxial de temperatura en función del tipo de elemento calefactor utilizando (RF ó SiC) y del empleo de afterheaters, así como de la posición del crisol en la cavidad del horno. Se ha comprobado la relación que existe entre la evoluci