Resumen de Preparación y caracterización de capas delgadas de InSe/GaSe crecidas por epitaxia van der Waals
En este trabajo hemos analizado las propiedades de las capas de InSe depositadas por epitaxia van der Waals sobre substratos de GaSe, centrándonos en sus propiedades estructurales, ópticas y fotovoltaicas. Hemos analizado las propiedades estructurales de las capas de InSe a partir de medidas de fotoemisión, LEED y XRD, permitiéndonos detectar la presencia de fases ajenas al InSe, aunque con una concentración muy inferior a la observada encapas preparadas por otros métodos. La presencia de defectos en las capas explica que no se haya observado ninguna seÑal del excitón, ni a las temperaturas más bajas alcanzadas, en las medidas de electroabsorción que hemos realizado. El análisis de dichas medidas nos ha permitido la dependencia con la temperatura del gap y de la anchura de la transición, que resulta ser muy similar al que se observa en el material monocristalino. Medidas del frente del espectro fotovoltaico nos permiten analizar, de forma indirecta, el frente del coeficiente de absorción de las capas de InSe. Los espectros resultantes son muy similares al que se observa en el material monocristalino, con un coeficiente de variación lineal semejante en el rango de temperaturas abarcado. Aunque la presencia de los defectos impide la observación del excitón, los espectros obtenidos indican una notable mejoría de la calidad de las capas preparadas, en comparación con los que se obtienen en capas preparadas por otros métodos. Hemos analizado la característica I (V) de los dispositivos creados a partir de las capas de InSe. La eficiencia máxima que se alcanza es del 0.6%. La presencia de los defectos en las capas provoca una disminución de la longitud de difusión de los huecos que explica estos valores de la eficiencia. Sin embargo, son aceptables si tenemos en cuenta que el espesor máximo de las capas preparadas es de una micra.
