Estructura electrónica y propiedades ópticas de puntos cuánticos auto-organizados.

• Autores: José Manuel Llorens Montolio
• Directores de la Tesis: Alberto García-Cristóbal (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat de València ( España ) en 2007
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Carlos Tejedor (presid.), Andrés Cantarero (secret.), Juan Pascual Martínez Pastor (voc.), Jesús María Pérez Conde (voc.), Josep Planelles Fuster (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en:  RODERIC  TDX 
• Resumen

  • RESUMEN En el presente trabajo de Tesis se ha realizado un estudio teórico de las principales propiedades de los puntos cuánticos semiconductores auto-organizados (SAQDs). Estas estructuras surgen de la unión de diferentes materiales semiconductores donde la contribución de uno de ellos presenta una escala nanométrica. Debido a su reducido tamaño, estas nanoestructuras son capaces de confinar espacialmente los electrones que se hallen en su interior. Es por ello que presentan unas propiedades más parecidas a las de un átomo que a las de una estructura semiconductora. Todo ello conduce a que se espere una mejora en el rendimiento de los dispositivos basados en SAQDs. El estudio teórico ha sido divido en tres grandes bloques bien diferenciados. En la primera parte se han estudiado algunas propiedades generales de estas nanoestructuras. Debido al proceso de crecimiento por el que los SAQDs son fabricados es preciso abordar un estudio de la distribución de la deformación. Para ello hemos recurrido al método de las inclusiones de Eshelby. Dependiendo de las propiedades de los materiales constituyentes de la nanoestructura, también puede resultar necesario el estudio del potencial interno. Este punto ha sido abordado haciendo uso de la teoría del electromagnetismo. En el segundo bloque se ha procedido al estudio de la estructura electrónica recurriendo al método kp y a la teoría de la masa efectiva. En el tercer y último bloque se ha tratado el problema de la interacción entre los electrones confinados en un SAQD, para lo cual se ha hecho uso del método de la interacción de configuraciones. Los resultados numéricos correspondientes a cada una de las partes descritas han sido obtenidos en base a los sistemas InAs/GaAs y GaN/AlN. El primero de ellos tiene un gran interés en la industria de las telecomunicaciones y el segundo en el campo de los dispositivos optoelectrónicos que operan en la región del espectro denominada de longitud de onda corta, i.e. en el azul y ultravioleta próximo. __________________________________________________________________________________________________