EL METODO DE ANGSTROM PERMITE UTILIZAR UNA TECNICA EXPERIMENTAL RAPIDA Y DE BUENA PRECISION EN LA MEDIDA DE LA DIFUSIVIDAD TERMICA DE MUESTRAS CUYAS DIMENSIONES SE APROXIMAN AL CASO IDEAL DE TENER LONGITUD SEMI-INFINITA. ADEMAS SE HA ABORDADO EL PROBLEMA DE DETERMINAR ESTA MAGNITUD EN MATERIALES DE LOS QUE UNICAMENTE SE DISPONE DE MUESTRAS DE CORTA LONGITUD SIN ESTABLECER NINGUNA MODIFICACION EN EL METODO ORIGINAL. ESTA EXTENSION SE HA REALIZADO CON LA AYUDA DE UN MODELO DE SIMULACION ANALOGICA DIGITAL BASADO EN EL METODO DE LIEBMANN. SE HA DETERMINADO ASI LA DIFUSIVIDAD TERMICA DE LOS SEMICONDUCTORES: GE SI85 GE15 BIO5SB5 TE3 Y SN PBO9 TE
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