Resumen de Fabricacion de peliculas delgadas de VO2 por sputtering RF

H. Coy, J.W. Coronel, G. Bolaños, María F. Córdoba, W. Lopera, C. Quinayas, K. Gross, P. Prieto

• Utilizando un sistema de pulverización RF (Magnetrón Sputtering ) a 13.56 MHz en una atmósfera de argón puro a presiones de 9 x 10-3 mbar hemos depositado ¿in situ¿ películas delgadas de VO2 sobre sustratos de Si, las cuales muestran una transición semiconductor ¿ metal con cambios en la resistencia eléctrica desde 2 x 103 W hasta 19 W a una temperatura de 65 °C. La morfología de la superficie de las películas fue analizada por Microscopia de Fuerza Atómica, AFM, obteniendo una rugosidad rms de 18 Å y un tamaño de grano del orden de 150 nm.