Resumen de El transistor bipolar de Heterounión (HBT) de InGaP/GaAs

D. Floriot, Pedro Manuel Gutiérrez Conde, María Susana Pérez Santos, S. L Delage, J. Obregón

• Partiendo de una somera descripción de los susbtratos utilizados habitualmente para la fabricación de los HBT's, se describen de manera detallada las principales topologías y circuitos equivalentes implementados en los simuladores para un transistor de potencia implementados en los simuladores para un transistor de potencia InGaP/GaAs. Finalmente se dedica especial atención a los fenómenos de disipación térmica y ruido de baja frecuencia en dicho dispositivo.