Examination of degradation mechanism due to negative bias temperature stress from a perspective of hole energy for accurate lifetime prediction.

• Autores: K. Watanabe, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 409-418
• Idioma: inglés
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