Evidence that N2O is a stronger oxidizing agent than O2 for both Ta2O5 and bare Si below 1000 °C and temperature for minimum low-K interfacial oxide for high-K dielectric on Si.

• Autores: W.S. Lau, P.W. Qian, T. Han, N.P. Sandler, S.T. Chen, S.E. Ang, C.H. Tung, T.T. Sheng
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 429-433
• Idioma: inglés
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