Interfacial layer quality effects on low-frequency noise (1/f) in p-MOSFETs with advanced gate stacks.

• Autores: P. Srinivasan, F. Crupi, E. Simoen, P. Magnone, C. Pace, D. Misra, C. Claeys
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 501-504
• Idioma: inglés
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