NBTI reliability of Ni FUSI/HfSiON gates: Effect of silicide phase.

• Autores: A. Shickova, B. Kaczer, A. Veloso, M. Aoulaiche, M. Houssa, H. Maes, G. Groeseneken, J.A. Kittl
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 505-507
• Idioma: inglés
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