Electrical characterization of crystalline Gd2O3 gate dielectric MOSFETs fabricated by damascene metal gate technology.

• Autores: R. Endres, Y. Stefanov, U. Schwalke
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 528-531
• Idioma: inglés
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