Epitaxial growth of LaAlO3 on Si(0 0 1) using interface engineering.

• Autores: C. Merckling, G. Delhaye, M. El-Kazzi, S. Gaillard, Y. Rozier, L. Rapene, B. Chenevier, O. Marty, G. Saint-Girons, M. Gendry, Y. Robach, G. Hollinger
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 540-543
• Idioma: inglés
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