An investigation of surface state capture cross-sections for metal¿oxide¿semiconductor field-effect transistors using HfO2 gate dielectrics.

• Autores: F.-C. Chiu, W.-C. Shih, J.Y.-m. Lee, H.-L. Hwang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 548-551
• Idioma: inglés
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