Gate oxide breakdown in FET devices and circuits: From nanoscale physics to system-level reliability.

• Autores: B. Kaczer, R. Degraeve, Ph. Roussel, G. Groeseneken
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 559-566
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)