Electrical characterization of metal-oxide-high-k dielectric-oxide-semiconductor (MOHOS) structures for memory applications.

• Autores: H.-h. Hsu, J.Y.-m. Lee
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 606-609
• Idioma: inglés
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