The characterization of retention properties of metal¿ferroelectric (PbZr0.53Ti0.47O3)¿insulator (Dy2O3, Y2O3)¿semiconductor devices.

• Autores: Y.-D. Su, W.-C. Shih, J.Y.-m. Lee
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 619-622
• Idioma: inglés
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