Chemical vapor deposition of tantalum nitride films for metal gate application using TBTDET and novel single-source MOCVD precursors.

• Autores: M. Lemberger, A. Baunemann, A.J. Bauer
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 635-639
• Idioma: inglés
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