High quality gate insulator film formation on SiC using by microwave-excited high-density plasma.

• Autores: K. Tanaka, H. Tanaka, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 786-789
• Idioma: inglés
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