Interface states and traps in thin N2O-grown oxynitride/oxide di-layer for PowerMOSFET devices.

• Autores: G. Currò, M. Camalleri, D. Cali, F. Monforte, F. Neri
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 819-821
• Idioma: inglés
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