Gate leakage properties of MOS devices with tri-layer high-k gate dielectric.

• Autores: W.B. Chen, J.P. Xu, P.T. Lai, Y.P. Li, S.G. Xu
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 937-943
• Idioma: inglés
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