The impacts of high tensile stress CESL and geometry design on device performance and reliability for 90 nm SOI nMOSFETs.

• Autores: C.-M. Lai, Y.-K. Fang, C.-T. Lin, C.-W. Hsu, W.-K. Yeh
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 944-952
• Idioma: inglés
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