A comprehensive study of stress induced leakage current using a floating gate structure for direct applications in EEPROM memories.

• Autores: D. Pic, D. Goguenheim, J.L. Ogier
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1373-1377
• Idioma: inglés
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