Gate charge behaviors in N-channel power VDMOSFETs during HEF and PBT stresses.

• Autores: M. Alwan, B. Beydoun, K. Ketata, M. Zoaeter
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1406-1410
• Idioma: inglés
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