Comparative study of NBTI as a function of Si film orientation and thickness in SOI pMOSFETs.

• Autores: S.J. Jang, D.H. Ka, C.G. Yu, K.-S. Kim, W.-J. Cho, J.T. Park
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1411-1415
• Idioma: inglés
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